信息工程学院
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用于毫米波相控阵系统的GaN HEMT天线开关的设计
邓天润
用于毫米波相控阵系统的GaN HEMT天线开关的设计
邓天润
摘要
氮化镓（GaN）是一种高热导率、高击穿电压、高电容量的第3代宽带半导体材料。
由于其具有较高的漂移率、耐高温、耐高压、抗辐照等优点，因此适合于 MWDM系统。T/R总成是整个雷达系统的关键部分，它的工作性能对整个雷达系统的发展有很大的影响。开关电路是收发器的前端器件，其插入损耗、隔离度、切换时间、功率容量等因素都会对其性能产生很大的影响。本论文的研究内容包括： G
用于毫米波相控阵系统的GaNHEMT天线开关的设计-15832字.docx