摘 要
研究不同Zn和Zr掺杂配比条件下的CaCu
3
Ti
4
O
12
物相结构、微观形貌及介电性能之间的规律，
明确（Zn＋Zr）共掺杂CCTO薄膜的制备及电学性能的研究及研究方法。
利用XRD进行样品的物相分析，采用SEM测试样品的微观结构形貌，利用阻抗分析仪测试样品的介电常数和介电损耗,
研究高介电常数、高损耗的来源，以及减少其介电损失的途径，是非常有理论和实际意义的
。
本文首先介绍CCTO电介质基础理论、研究内容和意义，CCTO的结构及介电性能、
陶瓷巨介电常数起源、
介电损耗抑制的工艺优化方法以及陶瓷的制备及性能测试，影响CCTO电学
(Zn＋Zr)共掺杂CaCu3Ti4O12薄膜的制备及电学性能研究-13497字.docx