I
摘 要
为探索ZnMgO半导体薄膜的结构和形貌在不同气氛退火后的变化，采用球磨
MgO+ZnO粉末→常温冷压靶坯→空气高温烧结工艺，制备了ZnMgO靶材。利用脉冲
激光沉积（PLD）法在氮气气氛中的400℃石英基片上生长了ZnMgO薄膜，制备的薄
膜经空气和真空两种不同气氛下500℃退火。三种状态薄膜经X射线衍射（XRD）、场
发射扫描电子显微镜（FESEM）和X射线能谱(EDS)检测发现：
（1）空气和真空退火使薄膜的晶格常数C减小，其次序为C
真空＜C
空气＜C
制备。
（2）制备样的不均匀生长，导致空气退火样出现明显的二次（002）取向生长，使其晶
粒尺寸
不同气氛退火ZnMgO薄膜的结构与形态研究-11306字.pdf