摘 要
近年来，人们对电场和/或磁场调制的半导体纳米结中的电子自旋输运进行了许多有趣的研究。这是由于其在自旋电子设备以及量子计算设备中具有广泛的潜在应用。获得较大的自旋极化电流是实现自旋电子器件的最重要的条件之一。因此，为了实现自旋极化电子的有效来源，由隧穿势垒或
δ
-掺杂或偏压调制的磁性半导体被广泛研究。
而在本文中，我们利用转移矩阵法从理论上研究了在面内磁场或
δ
-掺杂或波矢量影响下，通过[
001
]生长的不对称双势垒异质结的电子隧穿。我们发现，面内磁场增强了自旋分裂效应和自旋极化效应,
δ
-掺杂的大小和
纳米结构中电子自旋输运性质的研究-11887字.docx