摘 要
近年来，半导体在不同条件下费米能级的确定，以及深能级缺陷对发光效率的影响等，都受到了研究人员的广泛关注。本文中所使用的方法是以密度泛函理论为基础的第一性原理方法，采用Materials Studio 8.0中的CASTEP模块建立不同电荷的氧空位和氧间隙位的
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-Ga2O3，对于不同的结构进行优化，在优化的基础上我们计算了每个结构的生成焓及形成能，并找到生成焓最低的结构，分析这些结构的晶格常数、体系总能量的变化趋势，以及形成能随费米能级的变化。得出了三种氧空位对应的缺陷能级到价带顶之间的距离分别为VO(I) =3.31eV
Ga2O3中本征氧缺陷的转变能级的第一性原理计算-14241字.docx