摘
要
退火是改善
和
优化
材料性能
的
重要
方法之一。
本文
研究
硫化退火对
溅射沉积
Zn
和
ZnS
薄膜
性能的影响，
使用
XRD
、
SEM
、
EDS
、慢正电子多普勒展宽谱
和
紫外可见透射光谱对薄膜
样品
的晶体结构
、晶粒尺寸
、表面形貌、成分、缺陷
和
透光率进行分析。
对
Zn
薄膜在不同
温度下硫化
退火的研究结果表明，
制得的
ZnS
薄膜形成了
立方相
多晶结构，
当
硫化
温度
从
3
50
℃
达到
445
℃
，略高于硫的沸点时，硫的扩散能力增强明显，更容易与
Zn
发生反应生成
ZnS
晶粒，
其晶体具有沿
（
111
）
晶面
择优生长
的
溅射Zn与ZnS薄膜硫化退火及其性能研究-14203字.docx