摘
要
随着社会经济的飞速发展，微电子技术逐渐成为重要产业支柱之一。开发出一种高介电常数、低介电损耗、良好频率和温度稳定性的高介电陶瓷材料是主流研究趋势。
本文采用固相反应法制备（
Ba,
Ta
）共掺杂
Ti
O
2
巨介电材料。
采用
X
射线衍
射仪
(
XRD
)、扫描电镜(
SEM
)及能谱分析仪(
EDS
)、阻抗分析仪、
X
射线光电子能谱(
XPS
)等对(
Ba
,
Ta)
共掺杂的
T
i
O
2
陶瓷性能进
分析研究。结果表明当掺杂量达到一定的数量，样品内部出现的第二相可以抑制晶粒长大，细化晶粒。排胶工艺会产生气孔，要想获得致密的组织，就要优化
(Ba,Ta)共掺杂TiO2巨介电材微观结构及性能研究-13948字.docx