摘要
随着IC产业的发展与时代的需求，摩尔定律逐渐达到瓶颈。这些年来有不少研究
人员不断在寻找新型半导体材料来避免摩尔定律失效，氮化镓 (GaN)顺应时代出现在人
们的面前。近年来，由于它优良的材料特性，使它在许多领域都具有极大的优势，尤其
是5G射频技术应用领域。 N型掺杂的 GaN高电子迁移率晶体管将占据下一代功率器件
在通信系统中的主导地位，然而由于 P型GaN器件的低空穴迁移率限制了 GaN器件的
发展，如果能够解决这个问题，将对 GaN材料与器件进一步发展具有重要意义。
本文的主要研究内容为不同生长晶面情况下纤锌矿 GaN
不同生长晶面下纤锌矿 GaN的性质比较-20117字.pdf