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摘 要
随着社会经济的飞速发展，微电子技术逐渐成为重要产业支柱之一。开发出一种高介
电常数、低介电损耗、良好频率和温度稳定性的高介电陶瓷材料是主流研究趋势。
本文采用固相反应法制备（ Ba, Ta）共掺杂TiO2巨介电材料。 采用X射线衍射仪(XRD)、
扫描电镜 (SEM)及能谱分析仪 (EDS)、阻抗分析仪、 X射线光电子能谱 (XPS)等对(Ba, Ta)
共掺杂的 TiO2陶瓷性能进 分析研究。结果表明当掺杂量达到一定的数量，样品内部出现的
第二相可以抑制晶粒长大，细化晶粒。排胶工艺会产生气孔，要想获得致密的组织，就要
优化排胶工艺，延长
(Ba,Ta)共掺杂TiO2巨介电材微观结构及性能研究-13706字.pdf