【摘要】：
由于半导体纳米晶的抗氧化分解能力弱，如何实现半导体纳米晶的稳定
阳极
电致
化学发光（
E
CL
）
一直是
ECL
传感器设计的难点。本研究在氧化铟锡电极(I
TO
)表面依次组装具有优异空穴传输能力的聚乙烯基咔唑(P
VK
)、具有优异电子传递能力的聚（3,4-乙烯二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸(PEDOT
-
PSS)和
C
dTe
纳米
晶
三层复合纳米结构膜。在
共反应
剂三乙醇胺的存在下，该复合膜具有稳定且强的E
CL
，强度分别为单P
VK
膜、单
C
dTe
纳米晶膜和
CdTe
纳米晶/PVK复合膜的1
28
倍、1
60
倍和4倍。复合膜中空穴可以从I
TO
电极快速转
电致化学发光纳米晶聚乙烯咔唑复合膜的制备与分析应用-9093字.docx