摘 要
ZnS是重要的直接跃迁型的宽禁带半导体，其禁带宽度为3.7eV，在太阳能电池、光催化、生物医学等
领域
有广泛的应用前景。
本文采用先溅射沉积金属Zn及Zn：Cu合金，后硫化的方法制得未掺杂和掺杂ZnS薄膜，并通过XRD、SEM、UV-Vis透射光谱、原子力显微镜、慢正电子多普勒展宽谱分析薄膜的性能。研究了硫化退火对溅射Zn和Zn：
Cu
薄膜的生长及其性能的影响。
结果显示，随着硫化温度的升高，ZnS薄膜的择优特性从（200）方向转为（111）方向，并且SEM的研究结果发现温度升至420℃时，ZnS薄膜的致密性明显降低。此外，透射光谱和慢正电子
ZnSCu薄膜的硫化制备与性能研究-12614字.docx