摘 要
砷化镓是一种现代国际上广泛应用的半导体材料，其具有一系列突出优势，如高频率、高电子迁移率和良好的线性度等，因此在光电子和微电子领域中被广泛运用，并成为这些领域的重要支撑材料之一。
为了制备性能和质量优良的氧化物/砷化镓电子器件，我们需要试验和理论基础。论文主要利用低压电离氢气的方法在
GaAs
单晶表面注入氢离子，研究氢离子对砷化镓表面结构的影响及其电输运性能。我们做了如下工作：
在激光脉冲沉积设备中，以
GaAs
(
100
)
为基底，将氢气通入腔体，利用高压电离设备将氢气电离为氢离子，并在基片底座安装磁极
砷化镓半导体单晶表面氢离注入电输运研究-13289字.docx