摘
要
过渡金属由于电子结构的特殊
性，其结
合成的氧化物往往具有丰富的特性，如磁性，超导性等。异质结
由两种材料
薄膜依次沉积在同一衬底上而
形成，两种材料能带结构不同，
结型后可以表现出许多独特性质，
它是半导
体器件中
重要的组成部分，可用于光电器件原件，高频通信器件原件等。自上个世纪异质结技术发展起来，将过渡金属氧化物与半导体制作成具有各种优良特性的异质结已经成为一个热门的方向。
GaAs
属于
直接带隙半导体，与
硅相比，它的带隙宽度和
迁移率
更大
；而
WO
3
在引入氧空位的条件下，可以提高它的界面电
氧化钨砷化镓异质结电输运特性研究-14772字.docx