摘要
5G
通信技术迅猛发展，
对
相控阵系统
的性能要求也在不断提高，而
相控阵系统
中最为重要的部件是移相器
，
本论文重点开展了
用于毫米波相控阵系统的
GaN
HEMT
数字移相器
的研究设计工作，以研制宽带、小型化、高精度的数字移相器。对于提升我国的芯片自主创新能力具有现实意义。
首先，介绍了数字移相器的研究背景及其国内外发展动态，阐明了研究的重要性。接着，介绍了
GaN
HEMT
工艺及其在微波集成电路方面的优势，还对移相器进行了分类，解说关键指标，并且对比分析常见的电路拓扑结构。然后，对
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个移相单元都进行多次试
用于毫米波相控阵系统的GaNHEMT数字移相器的设计-19100字.docx