摘要
ZnO
材料是
n
型宽禁带半导体材料，也是一类重要的电子功能材料，具备热传导、光电导、压电传感、声光、发光、容器传感和化学催化等特点。
对透明导电薄膜材料而言
，
最关键的是透光度和导电能力
，
这二种指标往往互为影响。
而因为用处不同，所要求的透光度和导电能力也不同，需要
经过大范围的调整与控制，才能够在不同的气候条件下形成具备各种功效的薄膜。
本论文主要研究并评估了各种含量的
Ga
掺杂
ZnO
的光电特征，并采取了一个密度泛函理论的第一原理算法。利用
Materials studio
的
castep
模型估算了纯
ZnO
和掺杂的晶体
透明导电材料GZO光电性质的第一性原理分析-12567字.docx