本科毕业设计（论文）
SiC
电子结构的第一性原理计算
学院
物理与光电工程学院
专业
电子科学与技术
年级班别
1
8
级
卓越工程师班
学号
3
11800721
5
学生姓名
温春林
指导教师
王银海
2
022
年
5
月
S
iC
的电子结构和第一性原理计算
温春林
物理与光电工程学院
S
iC
的电子结构和第一性原理计算
温春林
物理与光电工程学院
摘要
Si
C
是一种新型无机物，是第三代
Ⅳ-Ⅳ
族化合物半导体材料，而且存在各种多形体。
Si
C
材料凭借着其优越的物理性能，成为了当前晶体生产工艺和器件生产水平最高，应用最普遍的宽禁带半导体材料之一
SiC电子结构的第一性原理计算-13313字.docx