文库 计算机 计算机科学与技术

InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx

2022及前全 DOCX   36页   下载0   2026-01-15   浏览0   收藏0   点赞0   评分-   20353字   20.00
温馨提示:当前文档最多只能预览 10 页,若文档总页数超出了 10 页,请下载原文档以浏览全部内容。
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx 第1页
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx 第2页
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx 第3页
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx 第4页
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx 第5页
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx 第6页
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx 第7页
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx 第8页
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx 第9页
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx 第10页
剩余26页未读, 下载浏览全部
摘要 与很多传统的半导体材料相比较,我们发现新型的半导体材料有着很多比传统半导体材料更加优越的特性。新型的半导体材料在电学方面拥有着十分卓越的特性,以及它的成本还很低廉,所以我们很多工业生产中都会采取其去制作现代电子设备。现在,新型的半导体材料已经运用在了很多的相关领域内,生活中的方方面面都离不开半导体材料制造而成的器件,有了新型的半导体材料在生活中的生产应用,这极大地提高了人们的生活质量,对工业生产以及科研活动都提供了很大的帮助。 在这么多新型的半导体材料之中,InGaN(铟镓氮)材料被广泛地认为是
InGaN原子结构和电子结构模拟-14035字.docx