摘要
ZnO是一种性能优异的半导体材料，是很好的光电器件材料，近年来引起了众多学
者们的注意。 向半导体材料掺杂其他元素，会影响半导体材料的电学特性，本文对 ZnO
及Ⅱ-A族元素Mg掺杂ZnO进行研究， 使用Materials Studio软件包，基于LDA+U的
方法对本征ZnO及MgZnO进行能带计算 ，得到本征 ZnO能带数据，分析了不同 Mg掺
杂浓度的 MgZnO能带数据 。可将研究结果大致总结为 ： ZnO晶体的晶格常数为
a=3.249Å，b=3.249Å，c=5.207Å，带隙宽度是 3.334eV, 价带顶和导带底在布里渊区的 G
点处。ZnO的价带大致可分为三个区域：在 -18.1eV处宽
宽带隙半导体材料 ZnO及MgZnO的能带分析-15491字.pdf