本科毕业设计（论文）
Mg
掺
GaN
原子结构和电子结构
第一性原理计算
学院
物理与光电工程学院
专业
电子科学与技术
年级班别
2018
级（
1
）班
学号
3118007207
学生姓名
申志强
指导教师
王银海
20
22
年
6
月
摘
要
近几年，
宽带隙半导体材料在液晶显示、高频器件、激光器、紫外线探测器等领域得到了广泛的应用。其中氮化镓的发光材料具有较大的禁带宽度、较高的电子漂移速率、较好的耐热性能。与传统的硅片相比，以氮化镓为原料的功率器件具有更高的输出功率，而且重量轻，体积小，制造成本低。更重要的是，由于成本的下降，
Ga
Mg掺GaN原子结构和电子结构-12946字.docx