摘要
集成电路产业是现代电子信息产业的基础和核心。近些年来集成电路的发展愈发迅
速，表现出来的是晶圆尺寸的不断增大，特征线宽的不断缩小以及多层结构的不断改进，
这对于加工晶圆的表面平坦化提出了比以往更高的要求。传统的平坦化方法加工后达到
的局部平坦化已经无法满足晶圆直径的扩大，而如今只能通过机械化学抛光（CMP）来
实现超光滑无损伤表面从而达到全局平坦化的要求，此技术也是目前最成熟和稳定的方
法。
CMP工艺的实现是在一定持续压力下将抛光工件与抛光垫在特殊调配的化学液体
介质中进行相对旋转摩擦运动，借助相
微型化学机械抛光测试仪设计与优化.pdf