摘要
近几十年来， 半导体材料的发展日新月异， 透明电子材料已经在其中占据重要地位。
预计未来一百年，透明导电薄膜材料会被运用更多的领域。自从上世纪铜铁矿材料凭借
特殊的晶格结构被发现能被制备成兼具良好透光性与导电率的 p型TCO，科学家们开
始研究如何找到一种高效简便的制备工艺以及对它的性能进行改善。本文主要探究溶胶
凝胶法中不同预断烧温度及不同 N
2退火温度对制备 CuFeO 2可行性与 CuFeO 2性能的影
响，希望找到一个最佳温度优化溶胶凝胶法制备工艺。根据实验结果，发现在 800℃以
上，预断烧的温度的提高并不会对制备
p型CuFeO2半导体粉末的溶胶凝胶法制备与表征-20902字.pdf