目
录
1
绪论
1
1.1
光催化技术简介
1
1.2
光催化技术的研究现状
1
1.3
影响光催化效率的因素
2
1.3.1
光照强度
2
1.3.2
半导体材料的能带结构
2
1.3.3
外部体系的离子组成
3
1.3.4
材料的晶型及晶粒大小
3
1.4 g-C
3
N
4
基异质结的研究现状
4
1.5 g-C
3
N
4
基异质结的应用前景
4
1.6
选题的目的及意义
5
2
实验过程
5
2.1
化学试剂与材料的制备
6
2.1.1g-C
3
N
4
纳米棒的制备
6
2.1.2g-C
3
N
4
/Ag
3
PO
4
异质结的制备
6
2.2
表征仪器
7
2.3
光电流测试
7
2.4
光催化活性测试
7
3
结果与讨论
8
3.1
相结构与形貌
8
3.2
键合环境
可见光响应g-C3N4Ag3PO4II型异质结的调控制备与光催化性能研究-11143字.docx