摘要
随着科技发展，人们对于算力以及性能的要求越来越高，而要满足这一需求，芯片
的计算能力则需要不断提高，且芯片的体积也越来越小，这对封装技术产生了一定的挑
战。已有的封装技术由于一些限制，如高成本、高耗时等，已经越来越不适合应用于现
在的芯片封装，因此，铜铜键合成为了新的选择。本文采用直流电镀法制备出纳米孪晶
结构铜。通过控制表面粗糙度及氧化层对纯铜与纳米孪晶结构铜进行键合质量评估。以
抛光后纳米孪晶结构铜为材料，在 250℃的空气氛围、 0.7MPa压缩应力下实现了 Cu-Cu
低温键合，而普通铜在相同情况下未能实
纳米孪晶结构铜低温键合性能研究-16191字.pdf