本科毕业
设计（
论文
）
p-Si/n
型半导体薄膜
/TCO
太阳能电池的结构和性能模拟分析
学院
物理与光电工程学院
专业
电子科学与技术
年级班别
2018
级电子科学与技术
2
班
学号
3118007254
学生姓名
麦瀚帮
指导教师
冯祖勇
20
22
年
4
月
摘要
本论文致力于使用软件仿真模拟实验的方式，探究高性能太阳能电池应该具备的结构以及材料参数，
我们将具体探讨
n
型宽禁带半导体薄膜作为
p-Si
发射极
/
电子选择性接触的应用。
在电池的结构上，我们参考了
HIT
结构太阳能电池，采用
1
80
微米
厚度硅片
，
发射极
/
电子选择性接触选择
1
5
p-Si_n型半导体薄膜_TCO太阳能电池的结构和性能模拟分析-17872字.docx